1.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。
2.提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。
3.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。
4.模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。
5.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。
6.实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。
7.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。
8.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道.
9.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.
10.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。
11.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。
12.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。
13.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。
14.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。
15.藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。
16.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。
17.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.
18.基本保留了凤凰台、回水沟与厚慈街的位置,对十八梯、守备街、花街子、回水沟道路做了进一步改善。
19.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。
20.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。
21.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。
22.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。
23.骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。